原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度、成份和結(jié)構(gòu))
 

　　原子沉積系統(tǒng)，一開(kāi)始稱(chēng)為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy，ALE)，也稱(chēng)為原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種，化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
 

　　可以沉積的材料包括:氧化物，氮化物，氟化物，金屬，碳化物，復(fù)合結(jié)構(gòu)，硫化物，納米薄層等。
 

　　半導(dǎo)體領(lǐng)域：
 

　　晶體管柵極電介質(zhì)層(高k材料)，光電元件的涂層，晶體管中的擴(kuò)散勢(shì)壘層和互聯(lián)勢(shì)壘層(阻止摻雜劑的遷移)，有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層，集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
 

　　納米技術(shù)領(lǐng)域：
 

　　中空納米管，隧道勢(shì)壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結(jié)構(gòu)，中空納米碗，存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內(nèi)部的涂層，納米線(xiàn)的涂層。